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Vishay SI2309CDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 1.2 A 1000 MW, 3-Pin SOT-23

About The 2 A 1000 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.02mm, Länge: 3

Vishay SI2309CDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 1.2 A 1000 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 345 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.02mm, Länge: 3.04mm

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Specifications of Vishay SI2309CDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 1.2 A 1000 MW, 3-Pin SOT-23

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