Vishay TrenchFET SI5515CDC-T1-GE3 N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 4 A, 8-Pin 1206 ChipFET, Channel-Typ: N, P, Drain-Source-Widerstand max.: 0,05 O, 0,156 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 0.8V
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Vishay TrenchFET SI5515CDC-T1-GE3 N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 4 A, 8-Pin 1206 ChipFET
Specifications of Vishay TrenchFET SI5515CDC-T1-GE3 N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 4 A, 8-Pin 1206 ChipFET | |
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