ROHM 2SC4617E3HZGTLQ SMD, NPN Transistor 50 V / 150 MA, EMT3 3-Pin

1% / 0.

: 3mA, Gehäusegröße: HTSOP-J8, MPN: BD1HDU50EFJ-CE2.

, MPN: BD1HCU50EFJ-CE2.ROHM Power Switch IC High-Side Hochspannungsseite 18 V max.

: 3mA, Gehäusegröße: HTSOP-J8, MPN: BD1HCU50EFJ-CE2.ROHM Power Switch IC High-Side Hochspannungsseite 18 V max., Betriebsstrom max.

1% / 0.: +155°C, MPN: ERA3AEB5901V.Panasonic ERA,, AEC-Q200 Metallschicht SMD-Widerstand 5.

Eaton Bussmann SMD Induktivität, 150 μH 3.5mm / ±20%, 100kHz, Höhe: 8mm, Abmessungen: 12.

ROHM 2SC4617E3HZGTLQ SMD, NPN Transistor 50 V / 150 mA, EMT3 3-Pin.

5mm², 16AWG min, Flachstecker Dicke: 0.5 → 2.RS PRO Flachsteckhülse, 1.

ROHM 2SC4617E3HZGTLQ SMD, NPN Transistor 50 V / 150 mA, EMT3 3-Pin.

5 mm², 16 → 14 AWG, Blau, Isoliert, 0.5 → 2.RS PRO Flachsteckhülse, 1.