@ Vgs: 39 nC @ 10 V Infineon DirectFET, HEXFET IRF6643TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 35 A 89 W DirectFET ISOMETRISCH, Drain-Source-Widerstand max.: 34,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.9V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.35mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Gate-Ladung typ.
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Infineon DirectFET, HEXFET IRF6643TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 35 A 89 W DirectFET ISOMETRISCH
Specifications of Infineon DirectFET, HEXFET IRF6643TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 35 A 89 W DirectFET ISOMETRISCH | |
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