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Infineon CoolMOS IPP65R110CFD7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 22 A, 3-Pin TO-220

About The : 4.: 0,11 Ω, Gate-Schwellenspannung max

Infineon CoolMOS IPP65R110CFD7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 22 A, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 0,11 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V

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Infineon CoolMOS IPP65R110CFD7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 22 A, 3-Pin TO-220

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Specifications of Infineon CoolMOS IPP65R110CFD7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 22 A, 3-Pin TO-220

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Infineon CoolMOS IPP65R110CFD7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 700 V / 22 A, 3-Pin TO-220
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STMicroelectronics NFC-Lesegerät ASK, QFN 48-Pin 7 x 7mm SMD

STMicroelectronics NFC-Lesegerät ASK, QFN 48-Pin 7 x 7mm SMD

STMicroelectronics NFC-Lesegerät ASK, QFN 48-Pin 7 x 7mm SMD, MPN: ST25RU3993-BQFT.

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    • Panasonic ERA,, AEC-Q200 Metallschicht SMD-Widerstand 1.33kΩ ±0.1% / 0.1W ±25ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse

    Panasonic ERA,, AEC-Q200 Metallschicht SMD-Widerstand 1.33kΩ ±0.1% / 0.1W ±25ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse

    33kΩ ±0.1W ±25ppm/°C, 0603 (1608M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +155°C, MPN: ERA3AEB1331V.

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    Coral Entwicklungstool Kommunikation und Drahtlos, Kit-Klassifizierung: Development Kit, Vorgestelltes Gerät: M.

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    • Coral Google 1gb Development Kit ARM Cortex A53

    Coral Google 1gb Development Kit ARM Cortex A53

    Coral Google 1gb Development Kit ARM Cortex A53, Klassifizierung: Development Board, Name der Prozessorfamilie: AT91, Prozessortyp: SoM, MPN: G950-04742-01.

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    • Yageo, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator NP0, 330pF ±5% / 50V dc, Gehäuse 0603 (1608M)

    Yageo, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator NP0, 330pF ±5% / 50V dc, Gehäuse 0603 (1608M)

    : -55°C, MPN: CC0603JRNPO9BN331.Yageo, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator NP0, 330pF ±5% / 50V dc, Gehäuse 0603 (1608M), Spannung: 50V dc, Montageart: Oberflächenmontage, Länge: 1.

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    • Schneider Electric SBI Sicherungstrennschalter, Acti 9

    Schneider Electric SBI Sicherungstrennschalter, Acti 9

    Schneider Electric SBI Sicherungstrennschalter, Acti 9, MPN: MGN15708.

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    • Semikron IGBT-Transistormodul / 400 A ±15.0V max., 1200 V

    Semikron IGBT-Transistormodul / 400 A ±15.0V max., 1200 V

    0V max.Semikron IGBT-Transistormodul / 400 A ±15.

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