onsemi FCMT360N65S3OS N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 10 A 83 W, 4-Pin PQFN4, Drain-Source-Widerstand max.: 360 mO, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V
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Onsemi FCMT360N65S3OS N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 10 A 83 W, 4-Pin PQFN4
Specifications of Onsemi FCMT360N65S3OS N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 10 A 83 W, 4-Pin PQFN4 | |
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