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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
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MOSFET
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Onsemi NVMJS1D5N04CLTWGOS N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 200 A 110 W, 8-Pin LFPAK8

About The : +175 °C.: ±20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max

onsemi NVMJS1D5N04CLTWGOS N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 200 A 110 W, 8-Pin LFPAK8, Drain-Source-Widerstand max.: 2,2 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

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Specifications of Onsemi NVMJS1D5N04CLTWGOS N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 200 A 110 W, 8-Pin LFPAK8

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Onsemi NVMJS1D5N04CLTWGOS N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 200 A 110 W, 8-Pin LFPAK8
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Halbleiter
Diskrete Halbleiter

Rating :- 9.59 /10
Votes :- 10
Murata LQW18A_00 Drosselspule, 22 nH 500mA, 0603 (1608M) Gehäuse 1.6mm / ±2%, 4.6GHz
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Induktivitäten
  • SMD-Induktivität
  • Murata
    • TE Connectivity SOLISTRAND Kabelspleißverbinder, 12 → 10 AWG, Ø 5.74mm, Ges.L 8.71mm
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Steckverbinder
  • Drahtanschlussklemmen & Spleiße
  • Spleißsteckverbinder
  • TE Connectivity
    • Festo SPTE Drucksensorsteuereinheit
  • Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge
  • Pneumatik und Hydraulik
  • Vakuum-Komponenten
  • Druck- und Vakuum-Schalter
  • Festo
    • Festo GRA Stromventil

    Festo GRA Stromventil

    Festo GRA Stromventil, Typ: Durchflusssteuerung, Gehäusematerial: Verzinkter Aluminiumdruckguss, Modellnummer: 6509, MPN: GRA-1/4-B.

  • Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge
  • Pneumatik und Hydraulik
  • Pneumatische Verbinder & Leitungen und Schläuche
  • Pneumatische Funktionsanschlüsse
  • Festo
    • KYOCERA AVX, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator, 4.7μF / 10V dc, Gehäuse 0603 (1608M)

    KYOCERA AVX, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator, 4.7μF / 10V dc, Gehäuse 0603 (1608M)

    KYOCERA AVX, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator, 4.: +85°C, Betriebstemperatur min.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Kondensatoren
  • Keramik Vielschichtkondensatoren
  • KYOCERA AVX
    • Nexperia PSMN2R7-30PL,127 N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 100 A 170 W, 3-Pin TO-220AB

    Nexperia PSMN2R7-30PL,127 N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 100 A 170 W, 3-Pin TO-220AB

    : +175 °C.: 2,7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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  • MOSFET
  • Nexperia
    • onsemi NVMJS1D5N04CLTWGOS N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 200 A 110 W, 8-Pin LFPAK8

    onsemi NVMJS1D5N04CLTWGOS N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 200 A 110 W, 8-Pin LFPAK8

    : 2V, Gate-Schwellenspannung min.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.onsemi NVMJS1D5N04CLTWGOS N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 200 A 110 W, 8-Pin LFPAK8, Drain-Source-Widerstand max.

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    • onsemi FCMT360N65S3OS N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 10 A 83 W, 4-Pin PQFN4

    onsemi FCMT360N65S3OS N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 10 A 83 W, 4-Pin PQFN4

    onsemi FCMT360N65S3OS N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 10 A 83 W, 4-Pin PQFN4, Drain-Source-Widerstand max.5V, Gate-Schwellenspannung min.: ±30 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.

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    : 360 mO, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 2.

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