STMicroelectronics STP26N65DM2 N-Kanal, THT MOSFET Transistor / 25 A 160 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 190 μΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±25 V, Länge: 10.4mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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STMicroelectronics STP26N65DM2 N-Kanal, THT MOSFET Transistor / 25 A 160 W, 3-Pin TO-220
Specifications of STMicroelectronics STP26N65DM2 N-Kanal, THT MOSFET Transistor / 25 A 160 W, 3-Pin TO-220 | |
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