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Wurth Elektronik WE-PMI SMD-Mehrschicht-Induktivität, 2,2 μH 800mA, 0603 (1608M) Gehäuse 1.6mm / ±20%, 8MHz

About The Wurth Elektronik WE-PMI SMD-Mehrschicht-Induktivität, 2,2 μH 800mA, 0603 (1608M) Gehäuse 1.: 300mΩ, Resonanzfrequenz max

Wurth Elektronik WE-PMI SMD-Mehrschicht-Induktivität, 2,2 μH 800mA, 0603 (1608M) Gehäuse 1.6mm / ±20%, 8MHz, Tiefe: 0.8mm, Abmessungen: 1.6 x 0.8 x 0.8mm, Geschirmt: Nein, Gleichstromwiderstand max.: 300mΩ, Resonanzfrequenz max.: 80MHz, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -40°C, MPN: 74479763222

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Specifications of Wurth Elektronik WE-PMI SMD-Mehrschicht-Induktivität, 2,2 μH 800mA, 0603 (1608M) Gehäuse 1.6mm / ±20%, 8MHz

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TE Connectivity CRGH Dickschicht SMD-Widerstand 100Ω ±5% / 2W ±200ppm/°C, 2512 (6432M) Gehäuse

TE Connectivity CRGH Dickschicht SMD-Widerstand 100Ω ±5% / 2W ±200ppm/°C, 2512 (6432M) Gehäuse

TE Connectivity CRGH Dickschicht SMD-Widerstand 100Ω ±5% / 2W ±200ppm/°C, 2512 (6432M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.

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    • Amphenol Heavy Mate Q Leistungssteckverbinder Einsatz Typ Q, Stecker 12-polig, 400 V, Kabelmontage

    Amphenol Heavy Mate Q Leistungssteckverbinder Einsatz Typ Q, Stecker 12-polig, 400 V, Kabelmontage

    Amphenol Heavy Mate Q Leistungssteckverbinder Einsatz Typ Q, Stecker 12-polig, 400 V, Kabelmontage, Kontakt-Format: 12P, Gehäuseausrichtung: Gerade, Anschlussart: Crimp, Kontaktmaterial: Kupferlegierung, Kontaktbeschichtung: Gold, Silber, Seriennummer: C146, MPN: C146 10A012 500 12.

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    • Wurth Elektronik LAN-Ethernet-Transformator PCB-Montage 1 Ports -1.2dB, L.

    Wurth Elektronik LAN-Ethernet-Transformator PCB-Montage 1 Ports -1.2dB, L.

    3at, Anschlussart: Lötbefestigung, Windungsverhältnis: 1:1, MPN: 7499410213.74mm 13.

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    • TE Connectivity R Metallschicht Widerstand 475kΩ ±0.1% / 0.25W

    TE Connectivity R Metallschicht Widerstand 475kΩ ±0.1% / 0.25W

    1% / 0.: +155°C, Betriebstemperatur min.TE Connectivity R Metallschicht Widerstand 475kΩ ±0.25W, Betriebstemperatur max.

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    • TE Connectivity CRGH Dickschicht SMD-Widerstand 5.1Ω ±5% / 0.5W ±200ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse

    TE Connectivity CRGH Dickschicht SMD-Widerstand 5.1Ω ±5% / 0.5W ±200ppm/°C, 1206 (3216M) Gehäuse

    : -55°C, Betriebstemperatur max.TE Connectivity CRGH Dickschicht SMD-Widerstand 5.

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    • Vishay MRS25 Dünnschicht Widerstand 4.7kΩ ±1% / 0.6W

    Vishay MRS25 Dünnschicht Widerstand 4.7kΩ ±1% / 0.6W

    6W, Temperaturkoeffizient: ±50ppm/°C, MPN: MRS25000C4701FCT00.Vishay MRS25 Dünnschicht Widerstand 4.

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    • BASF Ultrafuse ABS 3D-Drucker Filament zur Verwendung mit 3D-Drucker, Rot, 2.85mm, FFF-Technologie, 750g

    BASF Ultrafuse ABS 3D-Drucker Filament zur Verwendung mit 3D-Drucker, Rot, 2.85mm, FFF-Technologie, 750g

    BASF Ultrafuse ABS 3D-Drucker Filament zur Verwendung mit 3D-Drucker, Rot, 2.85mm, FFF-Technologie, 750g, Gerätespezifisch: Nein, MPN: 1303020019.

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    • Wurth Elektronik WE-PMI SMD-Mehrschicht-Induktivität, 2,2 μH 800mA, 0603 (1608M) Gehäuse 1.6mm / ±20%, 8MHz

    Wurth Elektronik WE-PMI SMD-Mehrschicht-Induktivität, 2,2 μH 800mA, 0603 (1608M) Gehäuse 1.6mm / ±20%, 8MHz

    8 x 0.: 300mΩ, Resonanzfrequenz max.: 80MHz, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, Betriebstemperatur max.6mm / ±20%, 8MHz, Tiefe: 0.

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    • BASF Ultrafuse ABS 3D-Drucker Filament zur Verwendung mit 3D-Drucker, Rot, 2.85mm, FFF-Technologie, 750g

    BASF Ultrafuse ABS 3D-Drucker Filament zur Verwendung mit 3D-Drucker, Rot, 2.85mm, FFF-Technologie, 750g

    BASF Ultrafuse ABS 3D-Drucker Filament zur Verwendung mit 3D-Drucker, Rot, 2.

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    • Wurth Elektronik WE-PMI SMD-Mehrschicht-Induktivität, 2,2 μH 800mA, 0603 (1608M) Gehäuse 1.6mm / ±20%, 8MHz

    Wurth Elektronik WE-PMI SMD-Mehrschicht-Induktivität, 2,2 μH 800mA, 0603 (1608M) Gehäuse 1.6mm / ±20%, 8MHz

    8mm, Abmessungen: 1.: -40°C, MPN: 74479763222.8mm, Geschirmt: Nein, Gleichstromwiderstand max.

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