Infineon IPP IPP120P04P4L03AKSA2 P-Kanal, THT MOSFET 40 V / 120 A, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0034 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Transistor-Werkstoff: Silicon
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon IPP IPP120P04P4L03AKSA2 P-Kanal, THT MOSFET 40 V / 120 A, 3-Pin TO-220
Specifications of Infineon IPP IPP120P04P4L03AKSA2 P-Kanal, THT MOSFET 40 V / 120 A, 3-Pin TO-220 | |
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