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Infineon IPG IPG20N04S412AATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 20 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6 Dual

About The Infineon IPG IPG20N04S412AATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 20 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual, Drain-Source-Widerstand max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Silicon

Infineon IPG IPG20N04S412AATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 20 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual, Drain-Source-Widerstand max.: 0,01219 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Silicon

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Infineon IPG IPG20N04S412AATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 20 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6 Dual

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Specifications of Infineon IPG IPG20N04S412AATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 20 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6 Dual

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