Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS -9,4 A, 10 A. 17V 8-Pin DSO 19ns, Anzahl der Ausgänge: 2, Anstiegszeit: 20ns, Topologie: Galvanisch getrennt, Ein-/Ausgangsabhängigkeit: Independent, Zeitverzögerung: 330ns, Polarität: Inverting, Non-Inverting, Montage-Typ: SMD, Höhe: 2.45mm, MPN: 1EDI60I12AHXUMA1
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Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS -9,4 A, 10 A. 17V 8-Pin DSO 19ns
Specifications of Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung CMOS -9,4 A, 10 A. 17V 8-Pin DSO 19ns | |
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