Vishay SiSHA12ADN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 25 A 28 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH, Gehäusegröße: PowerPAK 1212-SH, Drain-Source-Widerstand max.: 6 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –16 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay SiSHA12ADN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 25 A 28 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH
Specifications of Vishay SiSHA12ADN-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 25 A 28 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |