STMicroelectronics MDmesh DM2 STW56N60DM2 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 50 A 360 W, 3-Pin TO-247, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 60 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Diodendurchschlagsspannung: 1.6V
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STMicroelectronics MDmesh DM2 STW56N60DM2 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 50 A 360 W, 3-Pin TO-247
Specifications of STMicroelectronics MDmesh DM2 STW56N60DM2 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 50 A 360 W, 3-Pin TO-247 | |
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