Vishay SIHW21N80AE-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 17,4 A 32 W, 3-Pin TO-247AD, Drain-Source-Widerstand max.: 235 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Länge: 16.26mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Vishay SIHW21N80AE-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 17,4 A 32 W, 3-Pin TO-247AD
Specifications of Vishay SIHW21N80AE-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 17,4 A 32 W, 3-Pin TO-247AD | |
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