reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Infineon

Infineon CoolMOS CE IPAW60R600CEXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 10,3 A 28 W, 3-Pin TO-220 FP

About The 5V, Gate-Schwellenspannung min.: -30 V, +30 V, Länge: 11

Infineon CoolMOS CE IPAW60R600CEXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 10,3 A 28 W, 3-Pin TO-220 FP, Drain-Source-Widerstand max.: 1,4 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 2.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 11.3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon CoolMOS CE IPAW60R600CEXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 10,3 A 28 W, 3-Pin TO-220 FP

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon CoolMOS CE IPAW60R600CEXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 10,3 A 28 W, 3-Pin TO-220 FP

Category
Instockinstock

Last Updated

Infineon CoolMOS CE IPAW60R600CEXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 10,3 A 28 W, 3-Pin TO-220 FP
More Varieties

Rating :- 9.45 /10
Votes :- 6