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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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Vishay SIHD186N60EF-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 19 A 156 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

About The : 201 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min

Vishay SIHD186N60EF-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 19 A 156 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 201 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±30 V, Länge: 6.73mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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    Vishay SIHD186N60EF-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 19 A 156 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

    : 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.Vishay SIHD186N60EF-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 19 A 156 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: ±30 V, Länge: 6.

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