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Infineon OptiMOS 3 IPB017N06N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 180 A 250 W, 7-Pin D2PAK-7

About The : 1,7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min

Infineon OptiMOS 3 IPB017N06N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 180 A 250 W, 7-Pin D2PAK-7, Gehäusegröße: D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 1,7 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 4.57mm, MPN: IPB017N06N3 G

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Infineon OptiMOS 3 IPB017N06N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 180 A 250 W, 7-Pin D2PAK-7

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Specifications of Infineon OptiMOS 3 IPB017N06N3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 180 A 250 W, 7-Pin D2PAK-7

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