Vishay SiSS61DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 111,9 A 65,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S, Drain-Source-Widerstand max.: 9,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 0.9V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±8 V, Länge: 3.3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay SiSS61DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 111,9 A 65,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S
Specifications of Vishay SiSS61DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 111,9 A 65,8 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8S | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |