Infineon CoolMOS IPP60R099C7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 22 A, 3-Pin TO-220
About The Infineon CoolMOS IPP60R099C7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 22 A, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 0,099 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Infineon CoolMOS IPP60R099C7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 22 A, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 0,099 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Silicon
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon CoolMOS IPP60R099C7XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 22 A, 3-Pin TO-220
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