8µs, Anzahl der Kanäle: 1, MPN: BPW17N.: 5µs, Regelanstiegszeit: 4.8μs, Fallzeit typ.

2mm, Kollektorstrom: 15mA, Empfindlichkeit im Spektralbereich: 730 → 1120 nm, MPN: SFH 309 FA.: 7µs, Dunkelstrom max.: 200nA, Empfindlichkeit-Halbwertswinkel: 24 °, Montage Typ: Durchsteckmontage, Gehäusetyp: 3 mm (T-1), Abmessungen: 4 x 4 x 5.ams OSRAM THT NPN Fototransistor IR 7μs, 730nm → 1120nm, 2-Pin 3mm, Fallzeit typ.

6mm, Kollektorstrom: 50mA, MPN: BPV11F.75 x 8.: 5µs, Regelanstiegszeit: 6µs, Anzahl der Kanäle: 1, Lichtstrom max.

ams OSRAM Fototransistor IR 7μs / 2800μA, MPN: Q62702P0180.

: 100nA, Empfindlichkeit-Halbwertswinkel: ±40°, Abmessungen: 4.

: 650µA, Dunkelstrom max.: 50nA, Empfindlichkeit-Halbwertswinkel: 120 °, Montage Typ: Oberflächenmontage, Abmessungen: 3.

2μs, 500nm → 1050nm / 20000μA, 2-Pin 5mm, Fallzeit typ.

4 x 2.4mm, MPN: SFH 3015 FA.: 2nA, Empfindlichkeit-Halbwertswinkel: 13 °, Montage Typ: Oberflächenmontage, Gehäusetyp: Side Looker, Abmessungen: 3 x 1.

7mm, MPN: BPW76B.

02μA, 2-Pin 0603 (0201), Lichtstrom max.

: 8600µA, Dunkelstrom max.

54 x 5.: 880nm, Empfindlichkeit im Spektralbereich: 880 nm, Länge: 4.44 x 2.08mm, Kollektorstrom: 1.

: 1000nA, Polarität: NPN, Anzahl der Pins: 2, Gehäusetyp: Side Looker, Abmessungen: 3 x 2.95 x 21.: 900nm, Wellenlänge min.5mm, Kollektorstrom: 20mA, Länge: 3mm, Wellenlänge max.

ams OSRAM TOPLED SMD NPN Fototransistor IR 7μs, 750nm → 1120nm / 1000μA, 2-Pin PLCC, Fallzeit typ.: 7µs, Lichtstrom max.: 1000µA, Dunkelstrom max.

: 50nA, Empfindlichkeit-Halbwertswinkel: 120 °, Montage Typ: Oberflächenmontage, Abmessungen: 4.2 x 4.: 50µA, Dunkelstrom max.

1 (Dia.1mm, MPN: SFH 309 FA-4.

Wurth Elektronik Würth Elektronik WL-TTRB THT Fototransistor IR / 0.02µA, Empfindlichkeit-Halbwertswinkel: 60°, Montage Typ: Durchsteckmontage, Gehäusetyp: 3 mm (T-1), MPN: 1540031NC6090.: 0.

02µA, Empfindlichkeit-Halbwertswinkel: 30°, Montage Typ: Durchsteckmontage, Gehäusetyp: 5 mm (T-1 3/4), MPN: 1540052NA3090.02μA, 2-Pin 5mm, Anzahl der Kanäle: 1, Lichtstrom max.: 0.

ROHM RPI SMD Fototransistor IR 10μs / 10000μA, 4-Pin, Fallzeit typ.: 10µs, Lichtstrom max.: 10000µA, Montage Typ: Oberflächenmontage, MPN: RPI-0451E.

ams OSRAM Fototransistor IR, Sichtbares Licht 7μs / 50μA, Fallzeit typ.: 7µs, Anzahl der Kanäle: 1, Lichtstrom max.: 50µA, MPN: Q65110A2506.

: 3nA, Empfindlichkeit-Halbwertswinkel: 120°, Montage Typ: Oberflächenmontage, Abmessungen: 2.

Wurth Elektronik Würth Elektronik WL-STCW SMD NPN Fototransistor IR, Sichtbares Licht, 400nm → 1100nm, 2-Pin 0603, Dunkelstrom max.8mm, Kollektorstrom: 20mA, Empfindlichkeit im Spektralbereich: 400 → 1100 nm, Kollektor-Emitter-Spannung: 35V, MPN: 1540601NBA500.

Optek THT NPN Fototransistor IR 7μs, 3-Pin TO18, Fallzeit typ.) x 6.

2mm, Kollektorstrom: 30mA, Durchmesser: 3.8mm, Empfindlichkeit im Spektralbereich: 800 nm, Kollektor-Emitter-Spannung: 32V, Emitter-Kollektor-Spannung: 5V ROHM RPT-37PB3F THT Fototransistor IR 10μs / 2 (Minimum)mA, 2-Pin.x 5.

: 7µs, Lichtstrom max.2mm, Kollektorstrom: 15mA, MPN: SFH 309-4/5.

2μA, 3-Pin DIP, Erkennbare Spektren: Infrarot, Ultraviolett, Sichtbares Licht, Anzahl der Kanäle: 1, Lichtstrom max.2µA, Dunkelstrom max.: 3.

3µs, Regelanstiegszeit: 2µs, Lichtstrom max.: 200nA, Empfindlichkeit-Halbwertswinkel: 60°, Abmessungen: 3.: 2.

ams OSRAM SMD NPN Fototransistor IR, Sichtbares Licht 24μs, 460nm → 1080nm / 2600μA, 3-Pin DIP, Fallzeit typ.

02μA, 2-Pin 5mm, MPN: 1540052NA3090.Wurth Elektronik Würth Elektronik WL-TTRB THT Fototransistor IR / 0.

9 x 5.: 14µs, Lichtstrom max.: 200nA, Empfindlichkeit-Halbwertswinkel: 20 °, Montage Typ: Durchsteckmontage, Gehäusetyp: 5 mm (T-1 3/4), Abmessungen: 5.