onsemi THT Fototransistor IR 8μs → 880нм, 2-Pin, Side-View Gehäuse, Fallzeit typ.: 8µs, Anzahl der Kanäle: 1, Dunkelstrom max.: 100nA, Empfindlichkeit-Halbwertswinkel: 25 °C, Abmessungen: 4.44 x 2.54 x 5.08mm, Kollektorstrom: 1.50mA, Wellenlänge max.: 880nm, Empfindlichkeit im Spektralbereich: 880 nm, Länge: 4.44mm, MPN: QSE113
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Onsemi THT Fototransistor IR 8μs → 880нм, 2-Pin, Side-View Gehäuse
Specifications of Onsemi THT Fototransistor IR 8μs → 880нм, 2-Pin, Side-View Gehäuse | |
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