Vishay THT NPN Fototransistor IR 2μs, 875nm → 1000nm / 3200μA, 2-Pin T1
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Vishay THT NPN Fototransistor IR 2μs, 875nm → 1000nm / 3200μA, 2-Pin T1, Fallzeit typ.: 2.3µs, Regelanstiegszeit: 2µs, Lichtstrom max.: 3200µA, Dunkelstrom max.: 200nA, Empfindlichkeit-Halbwertswinkel: 60°, Abmessungen: 3.2 x 3.9 x 4.5mm, Kollektorstrom: 50mA, MPN: TEFT4300
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Vishay THT NPN Fototransistor IR 2μs, 875nm → 1000nm / 3200μA, 2-Pin T1
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Specifications of Vishay THT NPN Fototransistor IR 2μs, 875nm → 1000nm / 3200μA, 2-Pin T1 | |
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