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ROHM SCT2H12NZ SCT2H12NZGC11 N-Kanal, THT MOSFET 1700 V / 3,7 A 35 W, 3-Pin TO-3PFM

About The : 1,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.6V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

ROHM SCT2H12NZ SCT2H12NZGC11 N-Kanal, THT MOSFET 1700 V / 3,7 A 35 W, 3-Pin TO-3PFM, Drain-Source-Widerstand max.: 1,5 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.6V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -6 V, +22 V, Länge: 16mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

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ROHM SCT2H12NZ SCT2H12NZGC11 N-Kanal, THT MOSFET 1700 V / 3,7 A 35 W, 3-Pin TO-3PFM

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Specifications of ROHM SCT2H12NZ SCT2H12NZGC11 N-Kanal, THT MOSFET 1700 V / 3,7 A 35 W, 3-Pin TO-3PFM

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