Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 90 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0125 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SQJ147ELP-T1_GE3
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Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 90 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L
Specifications of Vishay TrenchFET P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 90 A, 4-Pin PowerPAK SO-8L | |
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