Onsemi FQB22P10TM P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 22 A 3,75 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
About The : -30 V, +30 V, Höhe: 4.onsemi FQB22P10TM P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 22 A 3,75 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max
onsemi FQB22P10TM P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 22 A 3,75 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 125 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Höhe: 4.83mm, Länge: 10.67mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi FQB22P10TM P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 22 A 3,75 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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Specifications of Onsemi FQB22P10TM P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 22 A 3,75 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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