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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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Onsemi QFET FQB30N06LTM N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 32 A 3,75 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The .67mm, Betriebstemperatur max

onsemi QFET FQB30N06LTM N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 32 A 3,75 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 35 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

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Specifications of Onsemi QFET FQB30N06LTM N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 32 A 3,75 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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2A 19,6 V Abwärtswandler 1 V 6 V Einstellbar 8-Pin, Gehäusegröße: VSON008X2030, MPN: BD9E151ANUX-TR.

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    67mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

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    onsemi FQB22P10TM P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 22 A 3,75 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

    : 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.onsemi FQB22P10TM P-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 22 A 3,75 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.67mm.

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