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Onsemi NVTFS6H888NTAG N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 12 A 18 W, 8-Pin WDFN

About The 15mm, Betriebstemperatur max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min

onsemi NVTFS6H888NTAG N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 12 A 18 W, 8-Pin WDFN, Drain-Source-Widerstand max.: 55 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 3.15mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

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Specifications of Onsemi NVTFS6H888NTAG N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 12 A 18 W, 8-Pin WDFN

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Onsemi NVTFS6H888NTAG N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 12 A 18 W, 8-Pin WDFN
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