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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder

Diskrete Halbleiter

ROHM SCT2160KEHRC11 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 22 A, 3-Pin TO-247N

About The : 4V, Transistor-Werkstoff: SiC.: 0,16 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

ROHM SCT2160KEHRC11 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 22 A, 3-Pin TO-247N, Drain-Source-Widerstand max.: 0,16 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: SiC

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Specifications of ROHM SCT2160KEHRC11 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 22 A, 3-Pin TO-247N
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Last Updated December 9th, 2023 08:32 am

ROHM SCT2160KEHRC11 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 22 A, 3-Pin TO-247N

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