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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
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MOSFET
Infineon

Infineon SIPMOS SPP15P10PLHXKSA1 P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 11,3 A 128 W, 3-Pin TO-220

About The .: 270 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Infineon SIPMOS SPP15P10PLHXKSA1 P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 11,3 A 128 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 270 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.36mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

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Infineon SIPMOS SPP15P10PLHXKSA1 P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 11,3 A 128 W, 3-Pin TO-220

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Specifications of Infineon SIPMOS SPP15P10PLHXKSA1 P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 11,3 A 128 W, 3-Pin TO-220

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Infineon SIPMOS SPP15P10PLHXKSA1 P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 11,3 A 128 W, 3-Pin TO-220
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Bourns AVHT Varistor, 4.5nF, 24V, 14V, Metall / 5A, 1812 (4532M) Gehäuse
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Überspannungsschutz-Komponenten
  • Varistoren
  • Bourns
    • TE Connectivity DIMM Sockel 0.5mm 260-polig gewinkelt SMD Buchse SO

    TE Connectivity DIMM Sockel 0.5mm 260-polig gewinkelt SMD Buchse SO

    2mm, Kontaktwiderstand (max.5mm 260-polig gewinkelt SMD Buchse SO, Kontaktmaterial: Kupferlegierung, Kontaktbeschichtung: Glanzvergoldet, Vernickelt (Unterplattierung), Anschlussart: Löten, Gehäusematerial: Thermoplast, Rastend: Ja, Reihenabstand: 8.): 50.

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  • USB D-Sub & Computer Steckverbinder
  • DIMM,SIMM Sockel
  • TE Connectivity
    • KYOCERA AVX, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator C0G, 100pF ±5% / 25V dc, Gehäuse 0402 (1005M)

    KYOCERA AVX, SMD MLCC, Vielschicht Keramikkondensator C0G, 100pF ±5% / 25V dc, Gehäuse 0402 (1005M)

    : -55°C, MPN: 04023A101JAT2A.5 x 0.5mm, Serie: Standard, Betriebstemperatur max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Kondensatoren
  • Keramik Vielschichtkondensatoren
  • KYOCERA AVX
    • LAG Dreher Lenkrolle, Rad ø 200mm, 230kg, Ges H.

    LAG Dreher Lenkrolle, Rad ø 200mm, 230kg, Ges H.

    LAG Dreher Lenkrolle, Rad ø 200mm, 230kg, Ges H. 240mm, Rad B.

  • Mechanik & Fluidtechnik und Werkzeuge
  • Konstruktionsmaterialien und industrielle Systemteile
  • Laufrollen und Räder
  • Lenkrollen
  • LAG
    • ams OSRAM OSRAM OSLON Square SMD Hochleistungs-LED Rot 2 V SMD Keramisch

    ams OSRAM OSRAM OSLON Square SMD Hochleistungs-LED Rot 2 V SMD Keramisch

    ams OSRAM OSRAM OSLON Square SMD Hochleistungs-LED Rot 2 V SMD Keramisch, Anzahl der LEDs: 1, MPN: Q65113A4032.

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  • LEDs – Leuchtdioden
  • LEDs
  • ams OSRAM
    • Legrand Schlüsselzylinder, für Atlantic-Gehäuse, Marina-Gehäuse

    Legrand Schlüsselzylinder, für Atlantic-Gehäuse, Marina-Gehäuse

    Legrand Schlüsselzylinder, für Atlantic-Gehäuse, Marina-Gehäuse, MPN: 0 368 25.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Gehäuse und Server-Racks
  • Gehäuse und Rack-Komponenten
  • Gehäuse-Zubehör
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    • Eclipse Neodym Magnet, Scheibe, 5mm, 0.28kg x 1mm, L.

    Eclipse Neodym Magnet, Scheibe, 5mm, 0.28kg x 1mm, L.

    28kg x 1mm, L.1mm, Befestigungstyp: Kein, MPN: N837 Eclipse Neodym Magnet, Scheibe, 5mm, 0. 1mm.

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    Infineon SIPMOS SPP15P10PLHXKSA1 P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 11,3 A 128 W, 3-Pin TO-220

    Infineon SIPMOS SPP15P10PLHXKSA1 P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 11,3 A 128 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.

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    : +175 °C.Infineon SIPMOS SPP15P10PLHXKSA1 P-Kanal, THT MOSFET 100 V / 11,3 A 128 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 270 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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