Infineon HEXFET IRLML0030TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,3 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 27 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.3V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.02mm
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Infineon HEXFET IRLML0030TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,3 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23
Specifications of Infineon HEXFET IRLML0030TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,3 A 1,3 W, 3-Pin SOT-23 | |
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