Onsemi PowerTrench FDC658P P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 4 A 1,6 W, 6-Pin SOT-23
About The : +150 °C.: 50 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min
onsemi PowerTrench FDC658P P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 4 A 1,6 W, 6-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 50 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi PowerTrench FDC658P P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 4 A 1,6 W, 6-Pin SOT-23
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Specifications of Onsemi PowerTrench FDC658P P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 4 A 1,6 W, 6-Pin SOT-23 | |
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