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Infineon IRFHM9331TRPBF P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 11 A, 8-Pin PQFN

About The Infineon IRFHM9331TRPBF P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 11 A, 8-Pin PQFN

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Specifications of Infineon IRFHM9331TRPBF P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 11 A, 8-Pin PQFN

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KOA Dünnschicht Widerstand ±0.1% / 0.1W, 0603 (1608M) Gehäuse
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    • KOA Dünnschicht Widerstand ±0.5% / 0.063W, 0402 (1005M) Gehäuse

    KOA Dünnschicht Widerstand ±0.5% / 0.063W, 0402 (1005M) Gehäuse

    KOA Dünnschicht Widerstand ±0.5% / 0.063W, 0402 (1005M) Gehäuse, MPN: RN73R1ETTP7061D25.

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    • Maxim Integrated Operationsverstärker Operationsverstärker SMD R-R μMAX, einzeln typ.
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    • TE Connectivity CPF Dünnschicht SMD-Widerstand 300kΩ ±0.1% / 0.1W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    TE Connectivity CPF Dünnschicht SMD-Widerstand 300kΩ ±0.1% / 0.1W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    : -55°C, Betriebstemperatur max.1W ±25ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.1% / 0.

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    • Infineon IRFIZ44NPBF N-Kanal Dual, THT MOSFET 55 V / 31 A, 3-Pin TO-220 vollständiges Pak

    Infineon IRFIZ44NPBF N-Kanal Dual, THT MOSFET 55 V / 31 A, 3-Pin TO-220 vollständiges Pak

    Infineon IRFIZ44NPBF N-Kanal Dual, THT MOSFET 55 V / 31 A, 3-Pin TO-220 vollständiges Pak, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Werkstoff: Silicon.

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