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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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Vishay SiHP052N60EF SIHP052N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 48 A, 3-Pin TO-220AB

About The Vishay SiHP052N60EF SIHP052N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 48 A, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 0,052 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max

Vishay SiHP052N60EF SIHP052N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 48 A, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 0,052 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1

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Specifications of Vishay SiHP052N60EF SIHP052N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 48 A, 3-Pin TO-220AB

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ROHM DTA043ZEBTL SMD, PNP Digitaler Transistor –50 V, SOT-416FL 3-Pin
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    • SAM Sechskant Standard-Schraubendreher

    SAM Sechskant Standard-Schraubendreher

    SAM Sechskant Standard-Schraubendreher, Sechskantschlüsselgröße: 7mm, Form: Gerade, Ausführung kurz/lang: lang, Sechskantschlüsselart: Sechskant-Schraubendreher, MPN: 67-7A.

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    • Siemens D-Sicherungshalter 63A 400V ac 3P-polig

    Siemens D-Sicherungshalter 63A 400V ac 3P-polig

    Siemens D-Sicherungshalter 63A 400V ac 3P-polig, Betriebsspannung: 400V ac, Zustandsanzeige: Nein, Schienen Typ: DIN 35 mm, Sicherungshalter: Sockel, Passende Sicherungsgrößen: D02, MPN: 5SG6202.

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    Vishay SiHA105N60EF SIHA105N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 29 A, 3-Pin TO-220 FP.

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    • Arcol MRA0207 Metallschicht Widerstand 61.9Ω ±0.1% / 0.25W

    Arcol MRA0207 Metallschicht Widerstand 61.9Ω ±0.1% / 0.25W

    Arcol MRA0207 Metallschicht Widerstand 61.: +125°C, Temperaturkoeffizient: ±15ppm/°C, Betriebstemperatur min.

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  • Arcol
    • Analog Devices Spannungsregler 800mA, 1 Niedrige Abfallspannung SOIC, 8-Pin, Einstellbar
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    Vishay SiHG105N60EF SIHG105N60EF-GE3 N-Kanal MOSFET 600 V / 29 A, 3-Pin TO-247AC

    Vishay SiHG105N60EF SIHG105N60EF-GE3 N-Kanal MOSFET 600 V / 29 A, 3-Pin TO-247AC, Drain-Source-Widerstand max.: 5V.

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    Vishay SiHP052N60EF SIHP052N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 48 A, 3-Pin TO-220AB

    : 5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1.: 0,052 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    Vishay SiHG105N60EF SIHG105N60EF-GE3 N-Kanal MOSFET 600 V / 29 A, 3-Pin TO-247AC

    Vishay SiHG105N60EF SIHG105N60EF-GE3 N-Kanal MOSFET 600 V / 29 A, 3-Pin TO-247AC, Drain-Source-Widerstand max.: 5V.

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    : 0,052 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Vishay SiHP052N60EF SIHP052N60EF-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 48 A, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.

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