reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
ROHM

ROHM RE1C002UN RE1C002UNTCL N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 200 MA 150 MW, 3-Pin SC-75

About The 8mm.: –8 V, +8 V, Diodendurchschlagsspannung: 1

ROHM RE1C002UN RE1C002UNTCL N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 200 mA 150 mW, 3-Pin SC-75, Gehäusegröße: SOT-416FL, Drain-Source-Widerstand max.: 4,8 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.3V, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V, Höhe: 0.8mm

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

ROHM RE1C002UN RE1C002UNTCL N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 200 MA 150 MW, 3-Pin SC-75

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of ROHM RE1C002UN RE1C002UNTCL N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 200 MA 150 MW, 3-Pin SC-75

Category
Instockinstock

Last Updated

ROHM RE1C002UN RE1C002UNTCL N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 200 MA 150 MW, 3-Pin SC-75
More Varieties

Rating :- 9.52 /10
Votes :- 9