onsemi SuperFET FCD7N60TM N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 7 A 83 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 600 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Diodendurchschlagsspannung: 1.4V, Höhe: 2.39mm
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Onsemi SuperFET FCD7N60TM N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 7 A 83 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Onsemi SuperFET FCD7N60TM N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 7 A 83 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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