onsemi MMBTH10-4LT1G SMD, NPN Digitaler Transistor 25 V, SOT-23 3-Pin, Verlustleistung max.: 300 mW, Transistor-Konfiguration: Einfach, Basis-Emitter Spannung max.: 3 V dc, Abmessungen: 3.04 x 1.4 x 1.01mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Konfiguration: Single, Automobilstandard: AEC-Q101
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Onsemi MMBTH10-4LT1G SMD, NPN Digitaler Transistor 25 V, SOT-23 3-Pin
Specifications of Onsemi MMBTH10-4LT1G SMD, NPN Digitaler Transistor 25 V, SOT-23 3-Pin | |
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