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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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Vishay TrenchFET SI1411DH-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 520 MA, 6-Pin SOT-363

About The : 4.Vishay TrenchFET SI1411DH-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 520 mA, 6-Pin SOT-363, Drain-Source-Widerstand max

Vishay TrenchFET SI1411DH-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 520 mA, 6-Pin SOT-363, Drain-Source-Widerstand max.: 2,6 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V

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Specifications of Vishay TrenchFET SI1411DH-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 520 MA, 6-Pin SOT-363

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Vishay TrenchFET SI1411DH-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 520 MA, 6-Pin SOT-363
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ABB RCBO System Pro M Compact DS201 FI/LS-Schalter 6A, 2-polig, Empfindlichkeit 30mA, DIN-Schienen-Montage

ABB RCBO System Pro M Compact DS201 FI/LS-Schalter 6A, 2-polig, Empfindlichkeit 30mA, DIN-Schienen-Montage

ABB RCBO System Pro M Compact DS201 FI/LS-Schalter 6A, 2-polig, Empfindlichkeit 30mA, DIN-Schienen-Montage, Ausschaltvermögen: 10 kA, MPN: 2CSR275080R1064 DS201 M C6 AC30.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
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  • Schutzschalter
  • FI,LS-Schalter
  • ABB
    • Panasonic ERJ1G,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 100kΩ ±5% / 0.05W ±200ppm/°C, 0201 (0603M) Gehäuse

    Panasonic ERJ1G,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 100kΩ ±5% / 0.05W ±200ppm/°C, 0201 (0603M) Gehäuse

    05W ±200ppm/°C, 0201 (0603M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: ERJ1GNJ104C.Panasonic ERJ1G,, AEC-Q200 Dickschicht SMD-Widerstand 100kΩ ±5% / 0.

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  • SMD-Widerstände
  • Panasonic
    • Vishay RWM 6x34 Wickel Widerstand 15kΩ ±5% / 8W

    Vishay RWM 6x34 Wickel Widerstand 15kΩ ±5% / 8W

    : +200°C, Betriebstemperatur min.Vishay RWM 6x34 Wickel Widerstand 15kΩ ±5% / 8W, Technologie: Gewickelt, Gehäuse-Form: 0634, Betriebstemperatur max.: -55°C, MPN: RWM06341502JS09E1.

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    • Wurth Elektronik IR-Diode, QFN 700mW, 940nm, 350mW/sr, SMD

    Wurth Elektronik IR-Diode, QFN 700mW, 940nm, 350mW/sr, SMD

    Wurth Elektronik IR-Diode, QFN 700mW, 940nm, 350mW/sr, SMD, MPN: 15435394A9040.

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    • Sick IME M12 Induktiver Näherungsschalter PNP 10 → 30 V DC / 200 mA, zylindrisch 8 mm, IP67

    Sick IME M12 Induktiver Näherungsschalter PNP 10 → 30 V DC / 200 mA, zylindrisch 8 mm, IP67

    Sick IME M12 Induktiver Näherungsschalter PNP 10 → 30 V DC / 200 mA, zylindrisch 8 mm, IP67, Gehäuseausführung: Zylinderförmig, Gewindegröße: M12 x 1, Anschlusstyp: Kabel mit Stecker, Länge: 63mm, Schaltfrequenz: 2 kHz, Breite: 12mm, Gleichspannung max.

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    • RS PRO Kohleschicht Widerstand 12kΩ ±5% / 0.25W

    RS PRO Kohleschicht Widerstand 12kΩ ±5% / 0.25W

    : +155°C, Temperaturkoeffizient: -500 → +350ppm/°C, Betriebstemperatur min.25W, Betriebstemperatur max.

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    • Wurth Elektronik IR-Diode, Obere LED, 850nm, 40mW/sr, SMD

    Wurth Elektronik IR-Diode, Obere LED, 850nm, 40mW/sr, SMD

    Wurth Elektronik IR-Diode, Obere LED, 850nm, 40mW/sr, SMD, MPN: 15414185AA211.

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    Vishay TrenchFET SI1411DH-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 520 mA, 6-Pin SOT-363

    : 2,6 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Vishay TrenchFET SI1411DH-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 520 mA, 6-Pin SOT-363, Drain-Source-Widerstand max.

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    Wurth Elektronik IR-Diode, Obere LED, 850nm, 40mW/sr, SMD

    Wurth Elektronik IR-Diode, Obere LED, 850nm, 40mW/sr, SMD, MPN: 15414185AA211.

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    Vishay TrenchFET SI1411DH-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 520 mA, 6-Pin SOT-363

    Vishay TrenchFET SI1411DH-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 520 mA, 6-Pin SOT-363, Drain-Source-Widerstand max.: 4.5V.

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