Toshiba TPH TPH8R80ANH N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 59 A 61 W, 8-Pin SOP erweitert, Drain-Source-Widerstand max.: 8,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 0.95mm
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Toshiba TPH TPH8R80ANH N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 59 A 61 W, 8-Pin SOP Erweitert
Specifications of Toshiba TPH TPH8R80ANH N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 59 A 61 W, 8-Pin SOP Erweitert | |
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