Infineon CoolGaN IGLD60R190D1AUMA3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 10 A, 8-Pin LSON-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,19 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 1.6V
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Infineon CoolGaN IGLD60R190D1AUMA3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 10 A, 8-Pin LSON-8
Specifications of Infineon CoolGaN IGLD60R190D1AUMA3 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 10 A, 8-Pin LSON-8 | |
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