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Infineon HEXFET IRFS3006TRL7PP N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 293 A 375 W, 7-Pin D2PAK-7

About The : 2V, Gate-Source Spannung max.Infineon HEXFET IRFS3006TRL7PP N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 293 A 375 W, 7-Pin D2PAK-7, Drain-Source-Widerstand max

Infineon HEXFET IRFS3006TRL7PP N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 293 A 375 W, 7-Pin D2PAK-7, Drain-Source-Widerstand max.: 2,1 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C

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Specifications of Infineon HEXFET IRFS3006TRL7PP N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 293 A 375 W, 7-Pin D2PAK-7

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