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Onsemi SuperFET FCB11N60TM N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 11 A 125 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The : 380 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.onsemi SuperFET FCB11N60TM N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 11 A 125 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max

onsemi SuperFET FCB11N60TM N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 11 A 125 W, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 380 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Onsemi SuperFET FCB11N60TM N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 11 A 125 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Specifications of Onsemi SuperFET FCB11N60TM N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 11 A 125 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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