onsemi UltraFET HUF75652G3 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 75 A 515 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 15.87mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
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Onsemi UltraFET HUF75652G3 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 75 A 515 W, 3-Pin TO-247
Specifications of Onsemi UltraFET HUF75652G3 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 75 A 515 W, 3-Pin TO-247 | |
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