IXYS X2-Class IXTP8N65X2M N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 4 A 32 W, 3-Pin TO-220F, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 550 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Diodendurchschlagsspannung: 1.4V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
IXYS X2-Class IXTP8N65X2M N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 4 A 32 W, 3-Pin TO-220F
Specifications of IXYS X2-Class IXTP8N65X2M N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 4 A 32 W, 3-Pin TO-220F | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |