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Infineon IMW1 IMW120R045M1XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1700 V / 52 A, 3-Pin TO-247

About The : 45 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Infineon IMW1 IMW120R045M1XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1700 V / 52 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max

Infineon IMW1 IMW120R045M1XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1700 V / 52 A, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 45 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V

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Infineon IMW1 IMW120R045M1XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1700 V / 52 A, 3-Pin TO-247

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Specifications of Infineon IMW1 IMW120R045M1XKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1700 V / 52 A, 3-Pin TO-247

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