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Onsemi SuperFET FCP4N60 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 3,9 A 50 W, 3-Pin TO-220

About The : 1,2 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.onsemi SuperFET FCP4N60 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 3,9 A 50 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max

onsemi SuperFET FCP4N60 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 3,9 A 50 W, 3-Pin TO-220, Drain-Source-Widerstand max.: 1,2 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.67mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Onsemi SuperFET FCP4N60 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 3,9 A 50 W, 3-Pin TO-220

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Specifications of Onsemi SuperFET FCP4N60 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 3,9 A 50 W, 3-Pin TO-220

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