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IXYS HiperFET, Q3-Class IXFK24N100Q3 N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 24 A 1 KW, 3-Pin TO-264

About The : 6.: -30 V, +30 V, Höhe: 26

IXYS HiperFET, Q3-Class IXFK24N100Q3 N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 24 A 1 kW, 3-Pin TO-264, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 440 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 6.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Höhe: 26.16mm, Länge: 19.96mm

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IXYS HiperFET, Q3-Class IXFK24N100Q3 N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 24 A 1 KW, 3-Pin TO-264

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Specifications of IXYS HiperFET, Q3-Class IXFK24N100Q3 N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 24 A 1 KW, 3-Pin TO-264

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    Hirose DF11 Leiterplatten-Stiftleiste Gerade, 8-polig / 2-reihig, Raster 2.0mm, Platine-Platine, Kabel-Platine,, Ummantelt/Nicht ummantelt: Ummantelt, Montagetyp: Durchsteckmontage, Anschlussart: Löten, Kontaktmaterial: Kupferlegierung, Kontaktbeschichtung: Zinn, Nennstrom: 2.0A, Betriebsspannung: 250,0 V, MPN: DF11-8DP-2DSA(24).

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