onsemi PowerTrench FDC855N N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6,1 A 1,6 W, 6-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 39 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1mm, Länge: 3mm
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Onsemi PowerTrench FDC855N N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6,1 A 1,6 W, 6-Pin SOT-23
Specifications of Onsemi PowerTrench FDC855N N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6,1 A 1,6 W, 6-Pin SOT-23 | |
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