reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
IXYS

IXYS HiperFET, Q3-Class IXFB82N60Q3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 82 A 1,56 KW, 3-Pin PLUS264

About The : 75 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: -30 V, +30 V, Höhe: 26

IXYS HiperFET, Q3-Class IXFB82N60Q3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 82 A 1,56 kW, 3-Pin PLUS264, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 75 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 6.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Höhe: 26.59mm, Länge: 20.29mm

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

IXYS HiperFET, Q3-Class IXFB82N60Q3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 82 A 1,56 KW, 3-Pin PLUS264

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of IXYS HiperFET, Q3-Class IXFB82N60Q3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 82 A 1,56 KW, 3-Pin PLUS264

Category
Instockinstock

Last Updated

IXYS HiperFET, Q3-Class IXFB82N60Q3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 82 A 1,56 KW, 3-Pin PLUS264
More Varieties

Rating :- 9.48 /10
Votes :- 6