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Vishay Siliconix TrenchFET SiA106DJ-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 12 A 19 W, 6-Pin SC-70-6L

About The Vishay Siliconix TrenchFET SiA106DJ-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 12 A 19 W, 6-Pin SC-70-6L, Drain-Source-Widerstand max.: ±20 V, Länge: 2

Vishay Siliconix TrenchFET SiA106DJ-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 12 A 19 W, 6-Pin SC-70-6L, Drain-Source-Widerstand max.: 20 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Länge: 2.2mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Vishay Siliconix TrenchFET SiA106DJ-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 12 A 19 W, 6-Pin SC-70-6L

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Specifications of Vishay Siliconix TrenchFET SiA106DJ-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 12 A 19 W, 6-Pin SC-70-6L

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